Отбор школ проводится по методике целенаправленной выборки, а именно Государственные неполные средние школы 8, 9 и 10. Исследование проводится в течение 3 месяцев в нечетном семестре 2013/2014 учебного года. Исследовательская группа — это все ученики 7-х классов всех школ. Поскольку в каждой школе разное количество учеников, для единообразия выборки необходимо случайным образом выбрать 44 ученика, поэтому общая выборка составляет 132 ученика, состоящих из 80 юношей и 52 девушек, средний возраст 12-13 лет.Отбор студентов в качестве выборки производился методом случайной выборки.

Инструменты исследования бывают двух видов: анкеты и тестовые задания. Анкета для измерения интересующей независимой переменной в Physics состоит из 40 вопросов (полученных после проверки достоверности 57 вопросов перед проверкой достоверности), относящихся к шкале Лайкерта, с вариантами ответов полностью согласен, согласен, сомневаюсь, не согласен и очень не согласен. Инструмент тестового проблемного вопроса заключается в измерении независимой переменной знания базовой концепции математики ( X ₂ ) и составляет 30 вопросов (полученных после проверки достоверности 43 пунктов перед проверкой достоверности) с вопросами с несколькими вариантами ответов, относящимися к концепции: строка , операции алгебры, тригонометрия, уравнение и неравенство.Для зависимой переменной решения задач по физике используются 11 субъективных тестовых вопросов (полученных после проверки достоверности из 13 вопросов перед проверкой достоверности) и упорядоченных на основе основного материала: времени, расстояния и скорости. Анкета и тестовая задача разрабатываются самим исследователем; проверяются и действительность, и надежность.

Проверка достоверности инструмента проводится с использованием корреляционной формулы продукта-момента от Пирсона. Критерии действительны для значения

ПРОИЗВОДСТВО ПОЛУПРОВОДНЫХ МАТЕРИАЛОВ

И. В микроэлектронике постоянное сокращение размеров ИС ¹ , сопровождаемое высокими плотностями тока и повышенными требованиями к электрическим характеристикам, привлекло внимание технологов к новым материалам, которые демонстрируют характеристики ² , такие как низкое контактное сопротивление, пониженная уязвимость ³ для электромиграции и технологичность ⁴ при низких температурах.

С годами размер устройства значительно уменьшился.Доступные улучшения ⁵ в технологии материалов позволили интегрировать все больше и больше устройств на одном кристалле, что привело к увеличению площади. Согласно теории масштабирования, меньшие размеры МОП-транзистора должны увеличивать ⁶ его скорость. Следовательно, в приближении первого порядка это должно пропорционально увеличить скорость цепи. Действительно, для небольших схем это действительно происходит. Однако для больших схем временные задержки ⁷ , связанные с межсоединениями, могут играть важную роль ⁸ в определении ⁹ рабочих характеристик схемы.

Чем меньше минимальный размер элемента, тем меньше площадь поперечного сечения соединения. В то же время более высокий уровень интеграции ¹⁰ позволяет увеличивать площадь кристалла, что приводит к увеличению длины межсоединений. Чистый эффект ¹¹ от этого «масштабирования межсоединений» отражается в заметной временной задержке ¹² RC. Для очень большого чипа с чрезвычайно малой геометрией временная задержка, связанная с межсоединениями, может стать заметной частью общей временной задержки, и, следовательно, характеристики схемы больше не могут определяться характеристиками устройства.

Таким образом, по мере увеличения площади кристалла и уменьшения других связанных с устройством размеров ¹³ временная задержка межсоединения становится значительной по сравнению с временной задержкой устройства и доминирует над производительностью микросхемы. Это доминирующие факторы, ограничивающие производительность устройства.

Производительность — очевидная цель СБИС; надежность более тонкая ¹⁴ один. Поэтому для межсоединений СБИС требуются новые материалы.

Дизайн ¹⁵ любой машины или устройства всегда был ограничен доступными материалами.Проблема заключалась в том, что материалы можно было спроектировать и адаптировать ¹⁶ для любых новых конструкций.

Полупроводники используются в широком спектре твердотельных устройств, включая транзисторы, интегральные схемы, диоды, фотодиоды и светодиоды.

Некоторые элементы в группе IV Периодической таблицы и вокруг нее демонстрируют внутренние ¹⁷ полупроводниковые свойства, но только эти Ge и Si (и, в меньшей степени, Se) показали химические и электрические свойства, подходящие ¹⁸ для электронных устройств, работающих вблизи комнаты температура.

Германий и кремний были первыми общими полупроводниковыми материалами ¹⁹ .

Большой вклад ²⁰ в изучение физики полупроводников внес выдающийся советский ученый А.Ф. Иоффе. Систематические исследования в области полупроводников начались в 1930 г., когда академик А. Иоффе и его сотрудники начали систематические исследования.

Диффузионная теория выпрямления ²¹ на границе двух полупроводников была разработана Б.И.Давыдов, советский физик, в 1938 году. Экспериментальное подтверждение его теории имело большое значение при исследовании процессов, происходящих ²² в p-n переходах.

Сразу после Второй мировой войны физики Джон Бардин, Уолтер Браттейн и Уильям Шокли и многие другие ученые посвятили ²³ исследованиям полупроводников на полную ставку. Исследования были сосредоточены на двух простейших полупроводниках — германии и кремнии.

Эксперименты приводят к новым теориям.Например, Уильям Шокли предложил идею полупроводникового усилителя ²⁴ , который критически проверил бы теорию. Фактическое устройство имело гораздо меньшее усиление, чем предполагалось. Джон Бардин предложил новую теорию, которая объяснила бы, почему устройство не будет работать и почему предыдущие эксперименты не были точно предсказаны старыми теориями. В новых экспериментах, направленных на проверку новой теории, они открыли совершенно новое физическое явление — эффект транзистора. В 1948 г.Шокли запатентовал переходной транзистор. Переходные транзисторы — это, по существу, твердотельные устройства, имеющие три слоя полупроводникового материала отрицательного или положительного типа поочередно ²⁵ .

Раннюю историю современной полупроводниковой технологии можно проследить ²⁶ до декабря 1947 года, когда Дж. Бардин и У. Х. Браттейн наблюдали действие транзистора через точечные контакты, нанесенные на поликристаллический германий. Германий стал широко используемым материалом. Было выяснено, что действие транзистора происходило внутри отдельных зерен ²⁷ поликристаллического материала.

G.K.Teal первоначально признал ²⁸ огромную ²⁹ важность монокристаллических полупроводниковых материалов, а также для обеспечения физической реализации переходного транзистора. Тил утверждал, что ³ «в 1949 году, что неконтролируемые сопротивления и электронные ловушки потикристаллического германия ³¹ могут неконтролируемым образом влиять на работу транзисторов ³² . Кроме того, ³³ он полагал, что поликристаллический материал будет обеспечивать непостоянный выход продукта и, следовательно, будет дорого.Он был первым, кто определил химическую чистоту, ³⁴ , высокую степень кристаллического совершенства ³⁵ и однородность структуры, а также контролируемый химический состав (то есть концентрацию донора или акцептора ³⁶ ) монокристаллического материала в качестве важной основы. для полупроводниковой продукции.

Следующее десятилетие стало свидетелем ³⁷ германия и «универсального» полупроводникового материала, кремния. Кремний постепенно стал на ³⁸ более предпочтительным по сравнению с германием в качестве «универсального» полупроводникового материала.

Кремний для революции электроники стал тем же, чем сталь для промышленной революции.

II. Кремний был основой () полупроводниковой промышленности с момента появления коммерческих транзисторов ³⁹ и других твердотельных устройств.

Доминирующая роль кремния в качестве материала для микроэлектронных схем ⁴⁰ в значительной степени объясняется свойствами его оксида.

Диоксид кремния — это прозрачное стекло с точкой размягчения ⁴¹ выше 1400 ° C.Если пластину ⁴² кремния нагреть в атмосфере кислорода или водяного пара, на ее поверхности образуется пленка оксида кремния ⁴³ . Рассматриваемая пленка твердая и прочная ⁴⁴ и хорошо прилипает к ⁴⁵ . Это отличный изолятор. Диоксид кремния особенно важен при изготовлении интегральных схем, поскольку он может действовать как маска ⁴⁶ для избирательного введения легирующих добавок. ⁴⁷

Большая полоса кремния ⁴⁸ зазор ⁴⁹ разрешила ⁵⁰ работу устройства при более высоких температурах (важно для силовых устройств), а термическое окисление кремния привело к получению нерастворимого в воде стабильного оксида (по сравнению с оксидом германия), подходящего для пропуска Переходы pn , служащие «непроницаемой диффузионной маской ⁵¹ » для обычных легирующих добавок и изолирующим покрытием ⁵² для накладок проводников. ⁵³

Присутствующая концентрация кислорода влияет на многие свойства кремниевой пластины, такие как прочность пластины, устойчивость к термическому короблению (), срок службы второстепенных носителей и нестабильность удельного сопротивления.

Присутствие генов способствует как положительным, так и вредным ⁵⁴ эффектам. Вредные эффекты можно уменьшить, если поддерживать уровень кислорода ⁵⁵ на уровне менее 38 частей на миллион. Таким образом, необходимо контролировать диапазон кислорода ⁵⁶ присутствующей пластины.Результаты, полученные с кремнием, великолепны.

Однако, хотя кремниевая пластина явно является основным ингредиентом при изготовлении интегральной схемы, спецификация кремниевых материалов ^{, 57,} может не быть критическим элементом в разработке успешной стратегии нового продукта 1С. Если кремниевый материал останется материалом полупроводниковых устройств в течение следующих десяти лет, необходимо продолжить усилия по уменьшению кристаллографических дефектов, выросших примесей, вносимых во время изготовления устройства.

Крупномасштабная интеграция (БИС) устройств предъявляет высокие требования к электронному монокристаллическому материалу. В полупроводниковой промышленности в настоящее время требуется высокая чистота и минимальная концентрация точечных дефектов в кремнии, чтобы повысить выход компонентов на кремниевую пластину. Эти требования становятся все более строгими ⁵⁸ по мере того, как технология меняется от крупномасштабной интеграции (LSI) к очень крупномасштабной интеграции (VLSI) и очень быстродействующим интегральным схемам (VHSIC).

Выход (или характеристики схемы) устройства и внутренние и внешние свойства материалов кремния взаимозависимы. Подложка кремниевой пластины должна быть практически без дефектов, когда плотность активного устройства может достигать 10 ^с до 10 ⁶ на кристалл.

Для дальнейшего увеличения скорости полупроводниковых устройств требуются не только усовершенствования ⁵⁹ в существующих конструкциях и технологиях изготовления, но и новые материалы, которые по своей сути ⁶⁰ превосходят материалы, используемые в настоящее время, такие как германий и кремний.Рассматриваемый новый материал — арсенид галлия.

Арсенид галлия имеет гораздо более высокую подвижность электронов, чем германий и кремний. Возможности ⁶¹ следующие: это потенциально намного быстрее; он имеет большую ширину запрещенной зоны, что позволяет работать при более высоких температурах; он химически и механически стабилен. Подвижность в этом арсениде галлия высокой чистоты примерно в два раза выше, чем у германия, и в четыре раза выше, чем у кремния.

Потенциал арсенида галлия высокой чистоты был впервые явным ⁶² в новом диоде на гетеропереходе арсенид галлия-германий.Устройство с гетеропереходом имеет потенциал для гораздо более быстрого переключения, чем обычные диоды с переходом ⁶³ p-n . Расчетное время переключения составляет порядка нескольких пикосекунд (триллионов секунд).

Однако сложность получения арсенида галлия достаточной чистоты ⁶⁴ ограничила его применение.

Тем не менее, история арсенида галлия — это еще не конец. Любой поиск ответа вносит свой вклад. Это способ разработки лучших материалов и устройств.

: 2016-11-18; : 822 | |

:

:

:

Проект Wolfram Physics | Класс моделей с потенциалом представления фундаментальной физики

• Объявление
• Введение
• Материалы
• Вопросы и ответы
• Прямые трансляции
• Реестр
• Инструменты
• Помощь
• Галерея
• Архив

• Объявление
• Введение
• Материалы
• Вопросы и ответы
• Прямые трансляции
• Реестр
• Инструменты
• Помощь
• Галерея
• Архив

Класс моделей с потенциалом для представления фундаментальной физики

1. Введение
2. Базовая форма моделей
   • • Базовая структура
     • Первый пример правила
     • Немного другое правило
     • Петли для самокруток
     • Многоугольник
     • Представление правил
     • Правила, зависящие от более чем одного родства
     • Прекращение действия
     • Связность
3. Типичное поведение
   • • Представление правил
     • Количество возможных правил
     • Начальные условия
     • Правила, зависящие от одного унарного отношения
     • Правила, зависящие от одного двоичного отношения
     • Правила, зависящие от одного тройного отношения
     • Правила, зависящие от более чем одного отношения: 2 ₂ 3 ₂ Случай
     • Правила с подписью 2 ₂ 4 ₂
     • Бинарные правила с подписями, превышающими 2 ₂ 4 ₂
     • Правила, зависящие от двух тернарных отношений: 2 ₃ 3 ₃ Случай
     • Правила, предусматривающие большее количество тернарных отношений
     • Правила со смешанной арностью
     • Правила множественного преобразования
     • Правила, связанные с отключенными частями
     • Прекращение действия
     • Эффект начальных условий
     • Поведение без роста
     • Случайные правила и общая классификация поведения
4. Ограничение поведения и возникающая геометрия
   • • Узнаваемая геометрия
     • Гиперболическое пространство
     • Геометрия из подразделения
     • Вложенные шаблоны
     • Понятие измерения
     • Характеристики, связанные с измерениями
     • Кривизна
     • Однородность и окрестности локального графа
     • Матрицы смежности и возрастное распределение
     • Другие свойства графика
     • Свойства графа сохраняются в соответствии с правилами
     • Очевидная случайность и темпы роста
     • Статистическая механика
     • Эффект возмущений
     • Геодезические
     • Функции на графиках
     • Коллекторы и пространства моделей
5. Процесс обновления для систем замены строк
   • • Системы замены строк
     • Феномен причинной инвариантности
     • Графики состояний
     • Типичные многопутевые графические структуры
     • Тестирование причинной инвариантности
     • Частота причинной инвариантности
     • События и их причинно-следственные связи
     • Причинные графы для конкретных обновляемых последовательностей
     • Значение причинной инвариантности
     • Причинные слоения и причинные конусы
     • Причинные графы для бесконечных эволюций
     • Типичные причинно-следственные связи
     • Пределы причинных графов
     • Слоения и координаты на причинных графах
     • Концепция жаберных графов
     • Типичные формы жаберных графов
     • Слоения многопутевого графа и структура жаберного пространства
     • Взаимосвязь между графами и многосторонним причинным графом
     • Взвешенные многопутевые графы
     • Эффективная причинная инвариантность
     • Эволюция поколений
6. Процесс обновления в наших моделях
   • • Обновление событий и причинной зависимости
     • Многоходовые системы для наших моделей
     • Причинная инвариантность
     • Тестирование причинной инвариантности
     • Причинные графы для правил причинного инварианта
     • Роль причинных графов
     • Типичные причинно-следственные связи
     • Крупномасштабная структура причинных графов
     • Слоения причинных графов
     • Причинное отключение
     • Глобальные законы симметрии и сохранения
     • Локальные симметрии
     • Жаберные графы и многосторонние причинные графы
7. Эквивалентность и вычисления в наших моделях
   • • Переписка с другими системами
     • Альтернативные составы
     • Вычислительные возможности наших моделей
8. Возможное отношение к физике
   • • Введение
     • Основные понятия
     • Возможные базовые переводы
     • Структура пространства
     • Время и пространство-время
     • Движение и специальная теория относительности
     • Вакуумные уравнения Эйнштейна
     • Материя, энергия и гравитация
     • Элементарные частицы
     • Обратимость и необратимость
     • Космология, расширение и сингулярности
     • Основные понятия квантовой механики
     • Квантовый формализм
     • Quantum Measurement
     • Операторы в квантовой механике
     • Дуальность волна-частица, отношения неопределенности и т. Д.
     • C

Публикации

1. Абдельазиз М.Абораиа, Мохаммед Эззельдин, Х.Элхосины Али, И.С.Яхия, Ясмин Хайри, В.Ганеш, Александр В. Солдатов Б. Р. Шаабан «Влияние индия на структуру и оптические свойства тонкой пленки ZnO: Kramer kronig соотношение и спектроскопическая эллипсометрия » Письма о материалах 2021 283 128783 (Удар-фактор: 3.204 / Q1) DOI: 10.1016 / j.matlet.2020.128783

2. В. Ганеш, Л. Харита, Х. Эльхосины Али, А. М. Аборая, Ясмин Хайри, Х. Х. Хегази, В. Бутова, Александр В. Солдатов, Х. Алгарни, Х. Я. Захран, И. Yahia «Детальные расчеты оптических свойств наноструктурированных пленок CdO, легированных индием, с использованием соотношений Крамерса-Кронига» Журнал некристаллических твердых тел 2021 552 120454 (Удар-фактор: 2.929 / Q1) DOI: 10.1016 / j.jnoncrysol.2020.120454

3. Бутова В.В., Панкин И.А., Бурачевская О.А., Ветлицына-Новикова К.С., Солдатов А.В. «Новый быстрый синтез MOF-801 для хранения воды и водорода: эффект модулятора и возможности рециркуляции» Inorganica Chimica Acta 2021 514 120025 (Удар-фактор: 2.304 / Q2) DOI: 10.1016 / j.ica.2020.120025

4. Солдатов М. Положенцев, П.В. Золотухин, А.А. Беланова, М. Коттед, Х. Кастильо-Мишель, А.Е. Прадас дель Реаль, Э.А. Кучма, А. Солдатов «Микро-XANES анализ суперпарамагнитных наночастиц оксида железа в биологических тканях» Радиационная физика и химия 2021 179 109162 (Удар-фактор: 2.226 / Q1) DOI: 10.1016 / j.radphyschem.2020.109162

5. Дж. Веркаммен, М. Бокус, С. Нил, Арам Бугаев, С., Ван Миннебругген, Дж. Хайек, П. Томкинс, Александр Солдатов, А. Крайнц, Г. Мали, В. Ван Спейброк, DE De Vos «Форма -Селективная CH-активация ароматических углеводородов до биарильных соединений с использованием молекулярного палладия в цеолитах » Природный катализ 2020 (Удар-фактор: 30.471 / Q1) DOI: принято к публикации

6. Чинция Джаннини, Вацлав Холи, Либерато де Каро, Лоренцо Мино, Карло Ламберти «Наблюдение за наноматериалами с помощью рентгеновских лучей: зондирование различных масштабов длины путем комбинирования рассеяния со спектроскопией» 2020 112 100667 (Импакт-фактор: 23,725 / Q1) DOI: 10.1016 / j.pmatsci.2020.100667

7. М. Стальпарт, К. Янссенс, К. Маркес, М. Хенрион, А.Л. Бугаев, А.В. Солдатов, Д. De Vos «Олефины из сахарных спиртов на биологической основе посредством селективной, опосредованной Ru реакции в каталитических фосфоний-ионных жидкостях» Катализатор ACS 2020 10 (16) 9401–9409 (Обложка журнала) (Импакт-фактор: 12,221 / Q1) DOI: 10.1021 / acscatal.0c02188

8. О.В. Сафонова, А.Гуда, Ю.Русалев, Р.Копелент, Г.Смоленцев, В.Ю. Теох, Дж. А. van Bokhoven и M. Nachtegaal «Выяснение механизма активации кислорода на оксо-оксо меди, содержащих церий, с помощью рентгеновской абсорбционной спектроскопии с временным разрешением» Катализатор ACS 2020 10 (8) 4692–4701 (Удар-фактор: 12.221 / Q1) DOI: 10.1021 / acscatal.0c00551

9. Н. Ван Велтховен, М. Генрион, Дж. Далленес, А. Крайнц, А.Л. Бугаев, П. Лю, С. Балс, А.В. Солдатов, Г. Мали, Д. De Vos «Металлоорганические каркасы с S, O-функциональными группами как гетерогенные одноцентровые катализаторы окислительного алкенилирования аренов посредством активации C-H» Катализатор ACS 2020 10 (9) 5077-5085 (Удар-фактор: 12.221 / Q1) DOI: 10.1021 / acscatal.0c00801

10. Григорий Смоленцев, Кристофер Дж. Милн, Александр Гуда, Кристоффер Халдруп, Якуб Шлачетко, Николо Аззароли, Клаудио Чирелли, Грегор Кнопп, Рок Бохинч, Самуэль Мензи, Георгиос Памфилидис, Дардан Гаши, Мартин Бек, Джеймс Моисей, Альдо Моисей Джулия Ф. Манчини, Андрей Терещенко, Виктор Шаповалов, Войцех М. Квятек, Джоанна Чапла-Маштафьяк, Андреа Канниццо, Микела Газзетто, Матиас Сандер, Маттео Левантино, Виктория Кабанова, Елена Рычагова, Сергей Кетковенс, Мариан Оларута, Мариан Оларута «Создание снимка триплетно-возбужденного состояния металлоорганического люминофора OLED с помощью рентгеновских лучей» Nature Communications 2020 11 2131 (Импакт-фактор: 11.878 / Q1) DOI: 10.1038 / s41467-020-15998-z

11. М.А. Камбаз, А. Урбан, С.А. Первез, Х. Гесвайн, А. Шиле, А.А. Гуда, А.Л. Бугаев, А.Мазилкин, Т.Димант, Р.Дж. Бем, Т. Брезесински, М. Фихтнер «Понимание происхождения более высокой емкости для неупорядоченных катодов из каменной соли на основе никеля» Химия материалов 2020 32 (8) 3447–3461 (Удар-фактор: 10.159 / Q1) DOI: 10.1021 / acs.chemmater.9b05285

12. Н. Ван Велтховен, Ю. Ван, Х. Ван Хис, М. Генрион, А.Л. Бугаев, Г. Грейси, К. Амро, А.В. Солдатов, Я. Алаузун, П.Х. Мутин, Д.Е. De Vos «Гетерогенные одноцентровые катализаторы для реакций активации C-H: S, O-функциональные оксиды металлов-бисфосфонаты, содержащие Pd (II)» Прикладные материалы и интерфейсы ACS 2020 (Удар-фактор: 8.758 / Q1) DOI: 10.1021 / acsami.0c12325

13. Ольга Красновская, Дмитрий А Гук, Алексей Наумов, Вита Николаевна Никитина, Алевтина Семкина, Ксения Ю. Власова, Вадим Покровский, Оксана О Рябая, Саида Каршиева, Дмитрий Скворцов, Ирина Жиркина, Радик Шафиков, Петр Горелкин, Александр Ванеев, Александр Ерофеев, Дмитрий Мазур, Виктор Александрович Тафеенко, Владимир Иванович Пергушов, Михаил Александрович Мельников , Виктор В.Шаповалов, Александр В. Солдатов, Роман Акасов, Василий Герасимов, Дмитрий А. Сахаров, Анна А. Моисеева, Николай Васильевич Зык, Елена Константиновна Белоглазкина, Александр Григорьевич Майуга «Новые медьсодержащие цитотоксические средства на основе 2- тиоксоимидазолоны » Журнал медицинской химии 2020 в печати (Импакт-фактор: 6,205 / Q1) DOI: 10.1021 / acs.jmedchem.0c01196

14.А. Бугаев, М. Забильский, А. Скоринина, О. Усольцев, А. Солдатов, Я. ван Боховен «Образование поверхностных и объемных оксидов в малых наночастицах палладия in situ» Химические коммуникации 2020 56 13097-13100 (Обложка журнала) (Импакт-фактор: 5,996 / Q1) DOI: 10.1039 / D0CC05050D

15. А. Коклюхин, М.Никульшина, А. Можаев, К. Ланселот, К. Ламонье, Н. Нанс, П. Бланшар, А. Бугаев, П. Никульшин «Массовые катализаторы гидроочистки MonW12-nS2 на основе гетерополикислот SiMonW12-n, полученные методом удаления оксида алюминия» Катализ сегодня 2020 (Импакт-фактор: 5,825 / Q1) DOI: 10.1016 / j.cattod.2020.07.018

16. К. Ахоба-Сэм, Э.Borfecchia, A. Lazzarini, A. Bugaev, AA Isah, M. Taoufik, S. Bordiga, U. Olsbye «О преобразовании CO2 в продукты с добавленной стоимостью по сравнению с композитными катализаторами PdZn и H-ZSM-5: избыток Zn над Pd , компромисс или штраф? » Наука и технологии катализа 2020 10 (13) 4373-4385 (Импакт-фактор: 5,721 / Q1) DOI: 10.1039 / d0cy00440e

17.Раджпут В., Минкина Т., Ахмед Б., Сушкова С., Сингх Р., Солдатов М., Ларатте Б., Федоренко А., Манджиева С., Бличарска Е., Мусаррат, Дж., Сакиб, К., Флигер, Дж., Горовцов, A «Взаимодействие наночастиц на основе меди с почвенными, земными и водными системами: критический обзор состояния науки и перспективы на будущее (глава книги)» « Обзоры загрязнения окружающей среды и токсикологии 2020 252 51-96 (Импакт-фактор: 5.462 / Q1) DOI: 10.1007 / 398_2019_34

18. И.А. Панкин, А. Мартини, К.А. Ломаченко, А. Солдатов, С. Бордига, Э. Борфекки «Идентификация Cu-оксо в Cu-цеолитах с помощью XAS: теоретический обзор с помощью моделирования XANES с помощью DFT и вейвлет-преобразования EXAFS» Катализ сегодня 2020 345 125–135 (Удар-фактор: 4.888 / Q1) DOI: 10.1016 / j.cattod.2019.09.032

19. Эмануэле Приола, Джорджио Вольпи, Роберто Рабеццана, Элиза Борфеккья, Клаудио Гарино, Паола Бензи, Андреа Мартини, Лоренца Оперти и Элиано Диана «Мостиковый раствор и твердофазная химия дицианоаурата: исследование ядер Zn – Au1471» Inorg. Chem. 2020 59 (1) 203–213 (Удар-фактор: 4.85 / Q1) DOI: 10.1021 / acs.inorgchem.9b00961

20. Бутова В.В., Бурачевская О.А., Ожогин И.В., Бородкин Г.С., Стариков А.Г., Бордига С., Дамин А., Лиллеруд К.П., Солдатов А.В. «MOF типа UiO-66 со смешанными линкерами — 1,4-бензолдикарбоксилат и 1,4-нафталиндикарбоксилат: эффект модулятора и постсинтетический обмен» Микропористые и мезопористые материалы 2020 305 110324 (Удар-фактор: 4.551 / Q1) DOI: 10.1016 / j.micromeso.2020.110324

21. В.В. Бутова, В.А. Поляков, E.A. Ерофеева, Ефимова С.А., Солдатов М.А., А.Л. Тригуб, Ю.В. Русалев, СРЕДНИЙ. Солдатов «Синтез наночастиц ZnO, допированных кобальтом, с использованием биметаллических ZIF в качестве жертвенных агентов» Наноматериалы 2020 10 (7) 1275 (Удар-фактор: 4.514 / Q2) DOI: 10.3390 / nano10071275

22. Усольцев, О. А .; Пневская, А.Ю .; Камышова, Э. Г .; Терещенко, А. А .; Скорынина, А. А .; Zhang, W .; Yao, T .; Бугаев, А.Л .; Солдатов А.В. «Дегидрирование этилена на нанесенных наночастицах палладия: двойной взгляд с металлической и углеводородной сторон» Наноматериалы 2020 10 (9) 1643 (Обложка журнала) (Удар-фактор: 4.324 / Q1) DOI: 10.3390 / nano100

23. Гаджимагомедова, З .; Золотухин, П .; Kit, O .; Кирсанова, Д .; Солдатов, А. «Нанокомпозиты для рентгеновской фотодинамической терапии» Международный журнал молекулярных наук 2020 21 4004 (Импакт-фактор: 4,183 / Q1) DOI: 10.3390 / ijms21114004

24.В.В. Бутова, К. Ветлицына-Новикова, И.А. Панкин, К. Чарыков, А.Л.Тригуб, А.В. Солдатов «Микроволновый синтез и фазовый переход в системе УиО-66 / МИЛ-140А» Микропористые и мезопористые материалы 2020 296 109998 (Импакт-фактор: 4,182 / Q1) DOI: 10.1016 / j.micromeso.2020.109998

25. Бутова Вера Васильевна, Владимир А.Поляков, Елена Анатольевна Буланова, Михаил Анатольевич Солдатов, Ибрагим С. Яхия, Хебра Й. Захран, Алла Ф. Абд эль-Рехим, Хамед эль-Гарни, Абдельазиз М. Аборайя, Александр Васильевич Солдатов «МВ-синтез ЗИФ-65 с иерархической пористой структурой» Микропористые и мезопористые материалы 2020 293 109685 (Импакт-фактор: 4,182 / Q1) DOI: 10.1016 / j.micromeso.2019.109685

26.Э.М. Баян, Т. Лупейко, Л. Пустовой, М. Волкова, В.В. Бутова, А.А. Гуда «Совместно легированные Zn – F наноматериалы TiO2: синтез, структура и фотокаталитическая активность» Журнал сплавов и соединений 2020 822 153662 (Импакт-фактор: 4,175 / Q1) DOI: 10.1016 / j.jallcom.2020.153662

27. Андрей Терещенко, Александр А.Гуда, Владимир Поляков, Юрий В. Русалев, Вера Бутова и Александр В. Солдатов «Рост наночастиц Pd по данным DRIFT-спектроскопии адсорбированного CO» Аналитик 2020 Рукопись принята к печати (Импакт-фактор: 3,978 / Q1) DOI: 10.1039 / D0AN01303J

28. А. Мартини, С. А. Гуда, А. А. Гуда, Г. Смоленцев, А.Алгасов, О. Усольцев, М. А. Солдатов, А. Бугаев, Ю. Русалев, К. Ламберти, А.В. Солдатов «PyFitit: программа для количественного анализа спектров XANES с использованием алгоритмов машинного обучения» Компьютерная физика Связь 2020 250 107064 (Импакт-фактор: 3,748 / Q1) DOI: 10.1016 / j.cpc.2019.107064

29.А.Л. Бугаев, О.А. Усольцев, А.А. Гуда, К.А. Ломаченко, М. Брунелли, Э. Гроппо, Р. Пеллегрини, А.В. Солдатов, Я. ван Боховен «Гидрирование этилена над палладием: эволюция структуры катализатора с использованием методов оперативного синхротрона» Фарадей Обсуждения 2020 под давлением (Импакт-фактор: 3,712 / Q1) DOI: 10.1039 / C9FD00139E

30.Гомаа Хабири, Абдельазиз М. Абораиа, С Омар, Малак Солиман, Асмаа М.А. Омар, Михаил В. Киричков и А.В. Солдатов «Улучшенные фотокаталитические характеристики квантовых точек SnS2 @ MoS2 с высокоэффективным переносом заряда и использованием видимого света для избирательного восстановления мифлена. -синий « Нанотехнологии 2020 31 475602 (Импакт-фактор: 3,551 / Q2) DOI: 10.1088 / 1361-6528 / aba212

31.Невидомская Д.Г., Минкина Т.М., Солдатов А.В., Бауэр Т.В., Шуваева В.А., Зубавичус Ю.В., Тригуб А.Л., Манджиева С.С., Дороватовский П.В., Попов Ю.В. «Определение Zn и Cu в технозоле и оценка последовательной процедуры экстракции с использованием анализов XAS, XRD и SEM – EDX» Экологическая геохимия и здоровье 2020 в печати (Импакт-фактор: 3,472 / Q1) DOI: 10.1007 / s10653-020-00693-1

32. Гомаа Хабири , Абдельазиз М. Аборайя, Малак Солиман , А.А. Гуда , В.В. Бутова, ЯВЛЯЕТСЯ. Яхья , А.В. Солдатов «Новая гетероструктура α-Fe2O3 @ MoS2QDs для улучшенных фотокаталитических характеристик в видимом свете с использованием метода ультразвуковой обработки» Международная керамика 2020 46 (11) 19600-19608 (Удар-фактор: 3.45 / Q1) DOI: https://doi.org/10.1016/j.ceramint.2020.05.021

33. Инна В. Лисневская, Ксения В. Мягкая, Вера В. Бутова, Виктор В. Шаповалов, Юрий В. Русалев, Хеба Ю. Захран, Ибрагим С. Яхья, Александр В. Солдатов «Предпочтения конечных членов ряда лантаноидов. для позиций A и B в BiFeO3 « Международная керамика 2020 46 (5) 6333-6341 (Удар-фактор: 3.45 / Q1) DOI: 10.1016 / j.ceramint.2019.11.109

34. Шукаев И.Л., Бутова В.В., Черненко С.В., Поспелов А.А., Шаповалов В.В., Гуда А.А., Аборая А.М., Захран Х.Ю., Яхья И.С., Солдатов А.В. «Натрий новый ромбический титанат железа (+2)» МЕЖДУНАРОДНАЯ КЕРАМИКА 2020 46 (4) 4416-4422 (Удар-фактор: 3.45 / Q1) DOI: 10.1016 / j.ceramint.2019.10.167

35. Решетникова Е.А., Лисневская И.В., Залюбовская Е.А., Бутова В.В., Солдатов А.В. «Влияние параметров гидротермального синтеза на образование титаната натрия висмута» Комментарии о неорганической химии 2020 40 (6) 314-326 (Удар-фактор: 3.333 / Q1) DOI: 10.1080 / 02603594.2020.1813728

36. Федоренко А.Г., Минкина Т.М., Черникова Н.П., Федоренко Г.М., Манджиева С.С., Райпут В., Бурачевская М.В., Чаплыгин В.А., Бауэр Т.В., Сушкова С.Н., Солдатов А.В. «Токсическое действие CuO различной степени дисперсности на структуру и ультраструктуру клеток ярового ячменя (Hordeum sativum distichum)» Экологическая геохимия и здоровье 2020 (Удар-фактор: 3.252 / Q1) DOI: 10.1007 / s10653-020-00530-5

37. Абдельазиз М. Аборая, Виктор В. Шаповалов, Александер А. Гуда, Вера В. Бутова и Александр Солдатов «Однотоварное покрытие LiCoPO4 / C металлоорганическим каркасом UiO-66» RSC Advances 2020 10 35206-35213 (Импакт-фактор: 3,119 / Q2) DOI: 10.1039 / D0RA05706A

38. А. Беланова, В. Чмыхало, Д. Беседа, М. Белоусова, В. Бутова, А. Солдатов, Ю. Макаренко, П. Золотухин «Мини-обзор безопасности компонентов рентгеновской фотодинамической терапии (XPDT), не содержащих реагентов. и соответствующие конструктивные особенности « Фотохимические и фотобиологические науки 2020 19 1134-1144 (Удар-фактор: 2.831 / Q2) DOI: 10.1039 / C9PP00456D

39. Фараг, А.А.А., Аборая, А.М., Али, Х.Э., Ганеш, В., Хегази, Х.Х., Солдатов, А.В., Захран, Х.Й., Хайри, Ю., Яхия, И.С. «Структурные исследования и определение характеристик оптического усиления наноструктурированных пленок @ CdO / FTO, легированных Ga, для фотодиодных приложений» Оптические материалы 2020 110 110458 (Удар-фактор: 2.779 / Q1) DOI: 10.1016 / j.optmat.2020.110458

40. Абдельазиз М. Аборая, В. В. Шаповалов, К. Ветлицына-Новикова, А. А. Гуда, В. В. Бутова, Х. Я. Захран, И. С. Яхия, А. В. Солдатов «Первопринципный расчет присущей стабильности LixCoPO4, NaxCoPO4 и смеси LixCoPO4 9141 Журнал физики и химии твердого тела 2020 136 109192 (Удар-фактор: 2.752 / Q2) DOI: 10.1016 / j.jpcs.2019.109192

41. A.M. Аборайя, А.А.А. Дарвиш, В. Поляков, Е. Ерофеева, В. Бутова, Хеба Ю. Захран, Алаа Ф. Абд Эль-Рехим, Хамед Алгарни, И.С. Яхия, Александр В. Солдатов «Структурные характеристики и оптические свойства каркасов из цеолитных имидазолатов (ЗИФ-8) для приложений твердотельной электроники» Оптические материалы 2020 100 109648 (Удар-фактор: 2.68 / Q1) DOI: 10.1016 / j.optmat.2019.109648

42. Мария Диас-Лопес, Сергей А. Гуда и Ив Жоли «Заселенность орбитального перекрытия кристаллов и рентгеновская спектроскопия поглощения» Журнал физической химии A 2020 124 (29) 6111-6118 (Удар-фактор: 2,6 / Q2) DOI: 10.1021 / acs.jpca.0c04084

43. Бутова В.В., Поляков В.А., Ерофеева Е.А., Яхия И.С., Захран Х.Ю., Абд Эль-Рехим А.Ф., Аборайя А.М., Солдатов А.В. «Модификация ЗИФ-8 молекулами триэтиламина для усиления адсорбции йода и брома» Inorganica Chimica Acta 2020 509 119678 (Удар-фактор: 2,433 / Q2) DOI: 10.1016 / j.ica.2020.119678

44. Киричков М.В., Бугаев А.Л., Скорынина А.А., Бутова В.В., Будник А.П., Гуда А.А., Тригуб А.Л., Солдатов А.В. «Временное разложение β-гидридной фазы in situ в наночастицах палладия, покрытых металлоорганическим каркасом» Металлы 2020 10 (6) 810 (Импакт-фактор: 2,259 / Q1) DOI: 10.3390 / мет10060810

45. О.А. Усольцев, А.Л. Бугаев, А.А. Гуда, С.А.Гуда, А.В. Солдатов «Абсорбция углеводородов на палладиевых катализаторах: от простых моделей к машинному обучению анализа данных рентгеновской абсорбционной спектроскопии» Темы в катализе 2020 63 58–65 (Импакт-фактор: 2,226 / Q1) DOI: 10.1007 / s11244-020-01221-2

46.Андреа Мартини, Илья А. Панкин, Анна Марсикано, Кирилл А. Ломаченко, Элиза Борфеккья «Вейвлет-анализ смоделированного спектра EXAFS Cu-оксо цеолита» Радиационная физика и химия 2020 175 (SI) 108333 (Импакт-фактор: 2,226 / Q1) DOI: 10.1016 / j.radphyschem.2019.05.023

47. К. Буоно А.Мартиниб И. А. Панкин Д. К. Паппас К.Негри К.Кванде К. А. Ломаченко E.Borfecchia «Локальная структура ионов Cu (I) в цеолите MOR: исследование XAS с помощью DFT» Радиационная физика и химия 2020 175 108111 (Импакт-фактор: 2,226 / Q1) DOI: 10.1016 / j.radphyschem.2018.12.031

48. А.Н. Кравцова, Л.В. Гуда, А.А. Гуда, А.Л. Тригуб, Д.Д. Бадюков, А. Солдатов «Исследование степени окисления железа ударных стекол из кратера Жаманшин методом рентгеновской абсорбционной спектроскопии». Радиационная физика и химия 2020 175 108097 (Импакт-фактор: 2,226 / Q1) DOI: 10.1016 / j.radphyschem.2018.12.017

49.А.А. Гуда, С.А.Гуда, А. Мартини, А.Л. Бугаев, М.А.Солдатов, А.В. Солдатов, К. Ламберти «Подходы машинного обучения к спектрам XANES для количественного трехмерного структурного определения: случай адсорбции СО2 на CPO-27-Ni MOF» Радиационная физика и химия 2020 175 108430 (Импакт-фактор: 2,226 / Q1) DOI: 10.1016 / j.radphyschem.2019.108430

50.В. В. Шаповалов, А. А. Гуда, Н. В. Косова, С. П. Кубрин, О. А. Подгорнова, А. Аборая, К. Ламберти, А. В. Солдатов «Лабораторные исследования Fe и Mn K-кромок XANES и мессбауэровские исследования материала LiFe0,514Mn0,5PO4» Радиационная физика и химия 2020 175 108065 (Импакт-фактор: 2,226 / Q1) DOI: 10.1016 / j.radphyschem.2018.11.019

Шаги научного метода

Убедитесь, что в вашем браузере включен JavaScript.Если вы оставите отключенным JavaScript, вы получите доступ только к части предоставляемого нами контента. Вот как.

Что такое научный метод?

Научный метод — это процесс экспериментирования, который используется для изучения наблюдений и ответов на вопросы. Означает ли это, что все ученые точно следуют этому процессу? Нет. Некоторые области науки легче проверить, чем другие. Например, ученые, изучающие, как звезды меняются с возрастом или как динозавры переваривают пищу, не могут ускорить жизнь звезды на миллион лет или провести медицинские осмотры кормления динозавров, чтобы проверить свои гипотезы.Когда прямые эксперименты невозможны, ученые изменяют научный метод. На самом деле, версий научного метода, вероятно, столько же, сколько ученых! Но даже после модификации цель остается той же: выявить причинно-следственные связи, задавая вопросы, тщательно собирая и исследуя доказательства и проверяя, можно ли объединить всю доступную информацию в логический ответ.

Даже несмотря на то, что мы показываем научный метод как серию шагов, имейте в виду, что новая информация или мышление могут заставить ученого вернуться и повторить шаги в любой момент в течение процесса.Такой процесс, как научный метод, который включает такое резервное копирование и повторение, называется итеративным процессом.

Независимо от того, занимаетесь ли вы научным выставочным проектом, проводите научную деятельность в классе, независимое исследование или любое другое практическое научное исследование, понимание этапов научного метода поможет вам сосредоточить свой научный вопрос и проработать свои наблюдения и данные, чтобы ответить на вопрос как можно лучше.

Схема научного метода.Научный метод начинается с вопроса, и проводится предварительное исследование, чтобы попытаться ответить на этот вопрос. Если вы хотите найти доказательства ответа или самого ответа, вы строите гипотезу и проверяете ее в эксперименте. Если эксперимент работает и данные проанализированы, вы можете либо подтвердить, либо опровергнуть свою гипотезу. Если ваша гипотеза опровергнута, вы можете вернуться к полученной новой информации и создать новую гипотезу, чтобы заново начать научный процесс.

Попробуйте наши планы уроков:

Назначьте студенческий тест с помощью Google Classroom:

Шаги научного метода

1. Задайте вопрос

Научный метод начинается, когда вы задаете вопрос о том, что вы наблюдаете: как, что, когда, кто, что, почему или где?

Для проекта научной ярмарки некоторые учителя требуют, чтобы вопрос был чем-то, что можно измерить, желательно с помощью числа.

Для получения подробной справки по этому шагу используйте следующие ресурсы:

2. Проведите предварительное исследование

Вместо того, чтобы начинать с нуля при составлении плана ответа на ваш вопрос, вы хотите быть сообразительным ученым, используя библиотеки и Интернет-исследования, чтобы помочь вам найти лучший способ делать что-то и гарантировать, что вы не повторяете ошибок прошлого. .

Для получения подробной справки по этому шагу используйте следующие ресурсы:

3.Построить гипотезу

Гипотеза — это обоснованное предположение о том, как все работает. Это попытка ответить на ваш вопрос объяснением, которое можно проверить. Хорошая гипотеза позволяет вам сделать прогноз:
«Если _____ [я делаю это] _____, то _____ [это] _____ произойдет».

Укажите свою гипотезу и полученный прогноз, который вы будете проверять. Прогнозы должны быть легко измеряемыми.

Для получения подробной справки по этому шагу используйте следующие ресурсы:

4.Проверьте свою гипотезу, проведя эксперимент

Ваш эксперимент проверяет, является ли ваш прогноз точным и, следовательно, ваша гипотеза подтверждается или нет. Важно, чтобы ваш эксперимент прошел честно. Вы проводите честный тест, убеждаясь, что вы изменяете только один фактор за раз, сохраняя при этом все остальные условия.

Вам также следует повторить эксперименты несколько раз, чтобы убедиться, что первые результаты не были случайностью.

Для получения подробной справки по этому шагу используйте следующие ресурсы:

5.Проанализируйте свои данные и сделайте вывод

После завершения эксперимента вы собираете свои измерения и анализируете их, чтобы увидеть, подтверждают ли они вашу гипотезу или нет.

Ученые часто обнаруживают, что их прогнозы не были точными, а их гипотеза не подтверждалась, и в таких случаях они сообщают результаты своего эксперимента, а затем возвращаются и строят новую гипотезу и прогноз на основе информации, которую они узнали в ходе эксперимента.Это снова запускает большую часть процесса научного метода. Даже если они обнаружат, что их гипотеза подтверждается, они могут захотеть проверить ее еще раз по-новому.

Для получения подробной справки по этому шагу используйте следующие ресурсы:

6. Сообщите свои результаты

Чтобы завершить свой проект научной ярмарки, вы поделитесь своими результатами с другими в итоговом отчете и / или на доске объявлений. Профессиональные ученые делают почти то же самое, публикуя свой итоговый отчет в научном журнале или представляя свои результаты на плакате или во время выступления на научном собрании.На научной ярмарке судьи заинтересованы в ваших выводах независимо от того, подтверждают ли они вашу первоначальную гипотезу.

Для получения подробной справки по этому шагу используйте следующие ресурсы:

Видео о нашей науке

Сделайте гигрометр для измерения влажности — STEM-активность

Как сделать электромагнит

Эксперимент с огненной змеей

.