19, Янв, 2025
629880, Ямало-Ненецкий автономный округ, Пуровский район, п. Пуровск, ул. Новая, д. 9

Ответы по учебнику по физике 8 класс: Упражнение 13 №1, Параграф 17

Добавленно , обновлено автор: alexxlab

Содержание

ГДЗ по физике 8 класс Исаченкова, Лещинский

Решебники, ГДЗ

  • 1 Класс
    • Математика
    • Русский язык
    • Английский язык
    • Информатика
    • Немецкий язык
    • Литература
    • Человек и мир
    • Природоведение
    • Основы здоровья
    • Музыка
    • Окружающий мир
    • Технология
  • 2 Класс
    • Математика
    • Русский язык
    • Белорусский язык
    • Английский язык
    • Информатика
    • Украинский язык
    • Французский язык
    • Немецкий язык
    • Литература
    • Человек и мир
    • Природоведение
    • Основы здоровья
    • Музыка
    • Окружающий мир
    • Технология
    • Испанский язык
  • 3 Класс
    • Математика
    • Русский язык
    • Белорусский язык
    • Английский язык
    • Информатика
    • Украинский язык
    • Французский язык
    • Немецкий язык
    • Литература
    • Человек и мир
    • Музыка
    • Окружающий мир
    • Технология

Решебник (гдз) по Физике для 8 класса А. В. Перышкин

ГДЗ к рабочей тетради по физике за 8 класс Ханнанова Т.А. можно скачать здесь.

ГДЗ к рабочей тетради с тестовыми заданиями к ЕГЭ по физике за 8 класс Касьянов В.А. можно скачать здесь.

ГДЗ к дидактическим материалам по физике за 8 класс Марон А.Е. можно скачать здесь.

Ответы к сборнику задач 7-9 класс Перышкин можно скачать здесь.

ГДЗ к рабочей тетради по физике за 8 класс Минькова Р. Д. можно скачать здесь.

ГДЗ к тетради для лабораторных работ по физике за 8 класс Филонович Н.В. можно скачать здесь.

ГДЗ у тестам по физике за 8 класс Слепнёва Н.И. можно скачать здесь.

ГДЗ к самостоятельным и контрольным работам по физике за 8 класс Марон А.Е. можно скачать здесь.

ГДЗ по Физике за 8 класс А.В. Перышкин

Megaresheba.net Видеорешения

Классы

  • 1 класс
  • 2 класс
  • 3 класс
  • 4 класс
  • 5 класс
  • 6 класс
  • 7 класс
  • 8 класс
  • 9 класс
  • 10 класс
  • 11 класс

Предметы

  • Русский язык
  • Математика
  • Английский язык
  • Немецкий язык
  • Алгебра
  • Геометрия
  • История
  • Биология
  • Обществознание
  • Химия
  • Физика
  • География
  • Черчение
  • Белорусский язык
  • Литература
  • Информатика
  • Технология
  • ОБЖ
  • Экология
  • Французский язык
  • Испанский язык
  • Искусство
  • Кубановедение
  • Казахский язык
    org/Breadcrumb»>
  • ГДЗ
  • 8 класс
  • Физика
  • Пёрышкин А. В.

ГДЗ БОТ по Физике для 8 класса

gdz-bot.ru Найти

Навигация по гдз

1 класс Русский язык Математика Английский язык Окружающий мир Литература Информатика Музыка Человек и мир 2 класс Русский язык Математика Английский язык Немецкий язык Окружающий мир Литература Информатика Музыка Технология Человек и мир 3 класс Русский язык Математика Английский язык Немецкий язык Окружающий мир Литература Информатика Музыка 4 класс

ГДЗ по физике 8 класс (решебники)

Где Гдз • Решебники • 8 класс • Физика

ГДЗ по физике для 8 класса – онлайн-сборники готовых решений по задачкам из базовых учебников физики российских школ. Здесь также приведены ответы на вопросы и выполненные задания по лабораторным работам. Пособие помогает ученикам вникнуть в практическую сторону предмета.

Авторы: А. В. Перышкин

Годы: 2013-2018


Решебники по физике – в чем преимущества их использования в 8 классе?

В изучении физике главным является не зазубривание законов и формул, но обретение умения применения их в практике решения задач, выполнения лабораторных работ. Удобнее всего усвоить практический материал по предмету можно на базе ГДЗ по физике за 8 класс.

Школьникам можно обойтись без дополнительных занятий и репетиторов: разобраться в решении задачек и качественно усвоить пройденный в классе материал можно на базе сборников готовых домашних заданий.

В решебниках по физике за 8 класс содержатся упражнения по широкому кругу тем:

  • конвекция, теплопроводность и излучение и иные тепловые явления;
  • особенности различных агрегатных состояний вещества;
  • электромагнитные явления и их измерение;
  • световые явления и их двойственная природа.

Выполняя домашнюю работу, ученик может просмотреть алгоритм решения задачи в решебнике и запомнить его, что поможет в дальнейшем при выполнении контрольных работ и сдаче экзаменов. Особое значение готовые домашние задания имеют для родителей: на их основе они смогут контролировать успеваемость своих детей и помогать им разбираться со сложными заданиями.

ГДЕ ГДЗ – самая свежая и актуальная база решебников

Онлайн-решебники – настоящая находка для современных школьников и их родителей. На сайте ГДЕ ГДЗ можно указать в поисковой строке фамилию автора или название учебника, чтобы найти нужный сборник ответов. Ответ на задачу можно отыскать в один клик – по номеру в таблице.

Кроме того, ГдеГдз.Ру отличает масса иных важных достоинств:

  • адаптивный дизайн, который позволяет просматривать материал с телефона, планшета, компьютера;
  • наличие нескольких вариантов выполнения одной и той же задачи;
  • отсутствие назойливых всплывающих рекламных сообщений и обязательных к просмотру видеороликов.

Упражнения онлайн-решебников выполнены в соответствии с правилами и стандартами, принятыми Министерством Образования РФ. Они доступны круглосуточно, бесплатно и без регистрации.

Решебник по физике 8 класс

  • ГДЗ
  • 1 Класс
    • Окружающий мир
  • 2 Класс
    • Математика
    • Английский язык
    • Русский язык
    • Немецкий язык
    • Литература
    • Окружающий мир
  • 3 Класс
    • Математика
    • Английский язык
    • Русский язык
    • Немецкий язык
    • Окружающий мир
  • 4 Класс
    • Математика
    • Английский язык
    • Русский язык
    • Немецкий язык
    • Окружающий мир
  • 5 Класс
    • Математика
    • Английский язык

Knight, Физика для ученых и инженеров: стратегический подход с современной физикой

  • Тематический каталог
  • Продукты и услуги для обучения

HMH Physics Interactive Reader Ответный ключ

Serway and Faughn’s Physics © 2017 — это всеобъемлющий школьный учебник физики и цифровая программа со сбалансированным подходом, объединяющим концепции и решение проблем. Последняя версия доступна и интересна, с обновленным контентом, обновленными примерами задач и новыми интересными функциями. Программа помогает всем учащимся разработать концептуальную основу, подкрепленную математически обоснованным представлением учебной программы по физике в средней школе. Постоянные стратегии решения проблем, практика, рекомендации и обратная связь укрепляют и укрепляют критические навыки.

Доставка
БЕСПЛАТНАЯ ДОСТАВКА НА ЗЕМЛЮ ДЛЯ ВСЕХ ПОКУПКОВ НА 49 $ ИЛИ БОЛЬШЕ!

Большинство товаров отправляются в течение 1-3 рабочих дней.Доставка доступна во все 50 штатов. Товары отправляются UPS Ground или USPS Media Mail. На каждом продукте указано, как он доставляется. Для заказов на сумму менее 49 долларов США фиксированная стоимость доставки составляет всего 4,95 доллара США.

Политика возврата

Вы можете вернуть большинство новых неоткрытых товаров в течение 30 дней с момента доставки и получить возмещение. Мы также оплатим расходы по обратной доставке, если возврат является результатом нашей ошибки (вы получили неправильный или бракованный товар и т. Д.). Комиссия в размере 4,95 доллара США будет вычтена для заказов, для которых доставка была произведена бесплатно.ЭЛЕКТРОННЫЕ НОСИТЕЛИ (CD, DVD, КАССЕТЫ, CD-ROM, ВИДЕО, ЭЛЕКТРОННЫЕ КНИГИ, КОМПЬЮТЕРНОЕ ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ И ПРОДУКТЫ С ИНТЕРНЕТ-КОМПОНЕНТОМ) НЕ МОГУТ ВОЗВРАТИТЬ ИЛИ ВОЗВРАТ. Плата за возврат до 20% может быть вычтена за возвращаемые товары в открытом виде (не в оригинальной термоусадочной пленке). ВОЗВРАТ НЕ ПРЕДОСТАВЛЯЕТСЯ ЗА ВОЗВРАТ, НЕ ПОДТВЕРЖДЕННЫЙ ПРЕДВАРИТЕЛЬНО.

Если вам нужно вернуть товар, просто войдите в свою учетную запись, просмотрите заказ, используя ссылку «Завершить заказы» в меню «Моя учетная запись», и нажмите кнопку «Вернуть товар (ы)».Мы сообщим вам по электронной почте о вашем возмещении, как только мы получим и обработаем возвращенный товар.

Вы должны ожидать получения возмещения в течение 1-2 недель с момента передачи вашей посылки отправителю, возвращающему посылку, однако во многих случаях вы получите возмещение быстрее. Этот период времени включает в себя транзитное время, в течение которого мы получим ваш возврат от грузоотправителя (от 5 до 10 рабочих дней), время, необходимое нам для обработки вашего возврата после его получения (от 2 до 3 рабочих дней), и время, необходимое для этого. ваш банк для обработки нашего запроса на возврат (от 3 до 10 рабочих дней).

КАК ПРИСОЕДИНИТЬСЯ К ПРОГРАММЕ ЛОЯЛЬНОСТИ КЛИЕНТАМ?

Клиенты, которые создали учетные записи, автоматически включаются в нашу Программу лояльности клиентов. Если вы не создали учетную запись, вы можете присоединиться к Программе, создав учетную запись после совершения первой покупки. Зарабатывайте 1 балл за каждые $ 1, потраченные в нашем магазине после того, как вы зарегистрируетесь в нашей Программе. 50 баллов за каждый отзыв о приобретенных товарах. 10 вознаграждений Применяется на человека за календарный месяц. Это простой способ зарабатывать до 25 долларов в Rewards каждый месяц! 100 баллов за каждого нового покупателя, разместившего заказ. Скидка 5 $ их первый заказ! Поставьте нам лайк на Facebook: легко 20 баллов! Поделитесь с нами на Facebook: еще 20 простых очков! Это быстро! Это просто! Это бесплатно!

КАК ЗАРАБАТЫВАТЬ ОЧКИ?
  • Покупок: После регистрации в нашей программе вы получите 1 балл за каждый доллар, потраченный в нашем магазине.
  • Отзывы о продукте: Получайте 50 баллов за каждый отзыв о приобретенных товарах. Применяются 10 вознаграждений на человека в календарный месяц.
  • Рефералы: Пригласите клиентов, и вы получите 100 баллов за каждого нового клиента, разместившего заказ. Скидка 5 долларов на первый заказ!
  • Поставьте нам лайк на Facebook: Получите легкие 20 баллов, если вам понравится наша страница на Facebook.
  • Поделитесь нами на Facebook: Получите 20 баллов, если поделитесь нашим магазином на Facebook.

    • КАКИЕ НАГРАДЫ Я МОГУ ОБРАТИТЬ С ПОМОЩЬЮ ОЧКОВ?
    Награда выдается в виде купона магазина. За каждые заработанные 100 баллов вы получите купон на 5 долларов на любой будущий заказ.
    КАК ПОЛУЧИТЬ НАГРАДЫ?
    Вы можете обменять вознаграждения на купон, когда наберете 100 баллов.Код купона будет отправлен вам по электронной почте и может быть использован при следующем заказе.

PPT — Учебник и презентация в формате PowerPoint, скачать бесплатно

  • Физика полупроводниковых устройств Учебник и учебный план: «Основы полупроводниковых устройств», Роберт Ф. Пьерет, международное издание, Эддисон Уэсли, 1996. Учебный план: Глава 1: Полупроводники : Общее введение Глава 2: Моделирование несущей Глава 3: Действия несущей Глава 5: Электростатика pn-перехода Глава 6: pn-переходный диод: ВАХ Глава 7: pn-переходный диод: полная проводимость сигнала Глава 8: pn-переходной диод: переходный процесс Ответ Глава 14: Контакты MS и диоды Шоттки Глава 9: Оптоэлектронные диоды Глава 10: Основы BJT Глава 11: Статические характеристики BJT Глава 12: Моделирование динамического отклика BJT

  • Политика оценок Физика полупроводниковых устройств Итоговая оценка = 10% Домашнее задание + 20% викторин + 30% промежуточных экзаменов + 40% заключительных экзаменов + дополнительные баллы • Домашние задания будут даваться по справедливой гулярная основа. Средняя оценка домашнего задания составляет 10% итоговой оценки. • Домашние работы должны быть написаны на листах формата А4, иначе они не будут оцениваться. • Домашние работы необходимо сдавать вовремя, за день до расписания лекции. За опоздание взимается штраф -10 · n, где n — общее количество опозданий. • Будет 3 викторины. Будут засчитаны только 2 лучших. Средняя оценка викторины составляет 20% итоговой оценки. • Максимальное опоздание на занятия — 25 минут, в противном случае посещаемость не засчитывается.

  • Политика классов Физика полупроводниковых устройств Физика полупроводников Домашнее задание 2Ито Чен 00920170000821 март 2021 г.D6.2. Ответ: . . . . . . . . • Заголовок домашних заданий (обязательно) • Промежуточные и выпускные экзамены следуют расписанию, опубликованному AAB (Academic Administration Bureau). • Составление викторин должно быть проведено в течение одной недели после расписания соответствующей викторины. • Компенсацию к середине и заключительному экзамену следует запрашивать непосредственно в AAB.

  • Физика полупроводниковых устройств Политика выставления оценок • Чтобы сохранить целостность, оценка викторины или экзамена может быть умножена на 0.9 (т.е. максимальный балл за макияж будет 90). • Дополнительные баллы начисляются каждый раз, когда вы решаете задачу перед классом или отвечаете на вопрос. Вы получите 1 или 2 очка. • Слайды лекций можно копировать во время занятий. Обновленная версия будет доступна на домашней странице лекции примерно через 1 день после расписания занятий. Пожалуйста, проверяйте регулярно. http://zitompul.wordpress.com • Использование Интернета для любых целей во время занятий строго запрещено. • Ожидается, что вы будете писать заметки к лекциям, чтобы записывать свои собственные выводы или материалы, которые не охватываются слайдами лекции.

  • Физика полупроводниковых устройств Греческий алфавит • новый • zz-eye • pie • taw • fie • k-eye • sigh • mew

  • Физика полупроводниковых устройств Глава 1 Полупроводники: Общее введение

  • 70

    • Глава 1 Полупроводники: общее введение Что такое полупроводник? • Низкое удельное сопротивление «проводник» • Высокое удельное сопротивление  «изолятор» • Промежуточное удельное сопротивление  «полупроводник» • Проводимость (и в то же время удельное сопротивление) полупроводников находится между проводниками и изоляторами.

  • Глава 1 Полупроводники: Общее введение Отсутствие распознаваемого дальнего порядка Все твердое тело состоит из атомов в упорядоченном трехмерном массиве Полностью упорядоченном по сегментам Что такое полупроводник? • Полупроводники являются одними из самых чистых твердых материалов из существующих, потому что любые следы примесных атомов, называемые «легирующими добавками», могут резко изменить электрические свойства полупроводников. • Уровень непреднамеренной примеси: 1 атом примеси на 109 атомов полупроводника.• Преднамеренная примесь в пределах от 1 на 108 до 1 на 103. Поликристаллический аморфный кристаллический • В большинстве производимых сегодня устройств используются кристаллические полупроводники.

  • Глава 1 Полупроводники: общее введение Полупроводниковые материалы Элементные: Si, Ge, C Соединение: IV-IV SiC III-V GaAs, GaN II-VI CdSe Сплав: Si1-xGex AlxGa1-xAs As: ArsenicCd: CadmiumSe: SeleniumGa: Галлий

  • Глава 1 Полупроводники: Общее введение От водорода к кремнию

  • Глава 1 Полупроводники: Общее введение Атом кремния • 14 электронов, занимающих первые 3 уровня энергии: • , 2s, 2p орбитали заполнены 10 электронами. • 3s, 3p орбитали, заполненные 4 электронами. • Чтобы минимизировать общую энергию, 3s- и 3p-орбитали гибридизуются с образованием четырех тетраэдрических 3sp-орбиталей. • Каждый из них имеет по одному электрону и способен образовывать связь с соседним атомом.

  • Глава 1 Полупроводники: общее введение Кристалл Si • Каждый атом Si имеет 4 ближайших соседа. • Постоянная решетки атома (длина стороны элементарной ячейки) • a = 5.431A, 1A = 10–10m ° ° • Каждая ячейка содержит: 8 угловых атомов 6 торцевых атомов 4 внутренних атома a «Алмазная решетка»

  • Глава 1 Полупроводники: общее введение Сколько атомов кремния в см – 3? • Число атомов в элементарной ячейке: • 4 атома полностью внутри ячейки • Каждый из 8 атомов в углах делится между 8 ячейками  считается как 1 атом внутри ячейки • Каждый из 6 атомов на гранях совместно используется 2 ячейками  считать как 3 атома внутри ячейки • Общее количество внутри ячейки = 4 + 1 + 3 = 8 • Объем ячейки = (. 543 нм) 3 = 1,6 x 10–22 см3 • Плотность атома кремния • = (8 атомов) / (объем ячейки) • = 5 × 1022 атомов / см3 • Какова плотность кремния в г / см3?

  • Глава 1 Полупроводники: общее введение Составные полупроводники • Структура «цинковая обманка» • Составные полупроводники III-V: GaAs, GaP, GaN и т. Д.

  • Глава 1 Полупроводники: A Общее введение Индексы Миллера h: обратная точка пересечения по оси x плоскости k: обратная точка пересечения по оси y плоскости l: обратная точка пересечения оси z плоскости (h, k и l сокращаются до 3 целых чисел, имеющих такое же отношение.)

  • Глава 1 Полупроводники: общее введение Кристаллографические плоскости _ (632) плоскость (001) плоскость (221) плоскость

  • Глава 1 Полупроводники: Общее введение Кристаллографические плоскости

  • 1 Полупроводники: общее введение Кристаллографические плоскости кремниевых пластин • Кремниевые пластины обычно разрезаются по плоскости {100} с помощью плоскости или выемки для ориентации пластины при изготовлении интегральной схемы. • Облицовочная поверхность отполирована и протравлена ​​до зеркального блеска.

  • Глава 1 Полупроводники: Общее введение Рост кристаллов до изготовления устройства

  • Глава 1 Полупроводники: Общее введение Единичная ячейка: вид в направлении <110> Вид в направлении <100> Кристаллографические плоскости Si Вид в направлении <111>

  • Глава 2 Моделирование носителя

  • Глава 2 Моделирование носителя Электронные свойства Si • Кремний — это полупроводниковый материал.• Чистый Si имеет относительно высокое электрическое сопротивление при комнатной температуре. • В Si есть 2 типа подвижных носителей заряда: • Электроны проводимости заряжены отрицательно, e = –1.602 10–19 C • Дырки заряжены положительно, p = + 1.602  10–19C • Концентрация (число атомов / см3) электронов проводимости и дырок в полупроводнике можно влиять несколькими способами: • Добавление специальных примесных атомов (легирующих примесей) • Приложение электрического поля • Изменение температуры • Облучение

  • Глава 2 Моделирование носителя Si Si Si Si Si Si Si Si Si Связь Модель электронов и дырок • Дыра в двумерном представлении • Когда электрон вырывается и становится электроном проводимости, создается дырка. Conductionelectron

  • Глава 2 Моделирование носителя Что такое дыра? • Дырка — это положительный заряд, связанный с наполовину заполненной ковалентной связью. • Дырка рассматривается как положительно заряженная подвижная частица в полупроводнике.

  • Глава 2 Носитель. Моделирование проводимости Электрон и дырка чистого Si • Ковалентные (общие e–) связи существуют между атомами Si в кристалле. • Поскольку e– слабо связаны, некоторые из них будут свободны при любом T, создавая пары дырка-электрон.ni≈ 1010 см – 3 при комнатной температуре ni = собственная концентрация носителей

  • Глава 2 Моделирование носителей Si: от атома к кристаллу Энергетические состояния (в атоме Si) Энергетические зоны (в кристалле Si) • Самые высокие в основном заполненные band — валентная группа. • Самая низкая по большей части пустая зона — это зона проводимости.

  • Глава 2 Диаграмма энергетических зон при моделировании несущей Диаграмма энергетических зон Ec EG, энергия запрещенной зоны Энергия электронов Ev • Для кремния при 300 K, EG = 1.12 эВ • 1 эВ = 1,6 x 10–19 Дж • Упрощенная версия модели энергетической зоны, указывающая: • Минимально возможную энергию зоны проводимости (Ec) • Максимально возможную энергию валентной зоны (Ev) • Ec и Ev разделены шириной запрещенной зоны энергия ЭГ.

  • Глава 2 Моделирование носителя Измерение энергии запрещенной зоны • EG можно определить по минимальной энергии (hn) фотонов, которые могут быть поглощены полупроводником. • Это количество энергии равно энергии, необходимой для перемещения одного электрона из валентной зоны в зону проводимости.Электрон Ec Энергия фотона фотона: hn = EG Ev Энергия запрещенной зоны дырки

  • Глава 2 Моделирование носителей Носители • Полностью заполненные или пустые зоны не позволяют току течь, потому что носители недоступны. • Разорванные ковалентные связи производят носители (электроны и дырки) и делают возможным протекание тока. • Возбужденный электрон перемещается из валентной зоны в зону проводимости. • Полоса проводимости больше не полностью пуста. • Валентная полоса больше не заполнена полностью.

  • Глава 2 Моделирование носителя E v E c Ширина запрещенной зоны и классификация материалов E c = E ~ 8 эВ G E c = E 1,12 эВ E G c E E E v v v Металл Si SiO2 • Изоляторы имеют большую запрещенную зону EG. • Полупроводники имеют относительно небольшую запрещенную зону ЭГ. • Металлы имеют очень узкую запрещенную зону EG. • Даже в некоторых случаях зона проводимости заполнена частично, Ev> Ec.

  • Глава 2 Моделирование носителей. Числа носителей в собственном материале • Теперь представлены новые обозначения: • n: количество электронов / см3 • p: количество дырок / см3 • ni: собственная концентрация носителей • В чистом полупроводнике , n = p = ni.• При комнатной температуре: • ni = 2  106 / см3 в GaAsni = 1  1010 / см3 в Si ni = 2  1013 / см3 в Ge

  • Физика полупроводниковых приборов Расписание семестров FCS 1 SDP 1 FCS 2 SDP 2 Rec 1

  • Физика полупроводниковых устройств Расписание на семестр SDP 3 FCS 3 SDP 4 FCS 4 Rec 2 FCS 5 SDP 5 Rec 3 FCS 6 Rec 4 SDP 6 Rec 5 Mid Mid Mid Mid Mid

  • Физика полупроводникового устройства Расписание семестра Середина FCS 7 Запись 5 FCS 8 SDP 7 SDP 8 Запись 6 FCS 9? Rec 7 SDP 9 FCS 10 Rec 8

  • Semiconductor Device Physics Расписание семестра SDP 10 FCS 11 Rec 9 FCS 12 SDP 11 Rec 10 Final Final Final Final Final

    • .

    Оставить комментарий

    Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

    Вы можете использовать эти HTMLметки и атрибуты:

    <a href="" title=""> <abbr title=""> <acronym title=""> <b> <blockquote cite=""> <cite> <code> <del datetime=""> <em> <i> <q cite=""> <s> <strike> <strong>