28, Ноя, 2024
629880, Ямало-Ненецкий автономный округ, Пуровский район, п. Пуровск, ул. Новая, д. 9

11 афанасьева английский: ГДЗ решебник Английский язык за 11 класс Афанасьева, Михеева, Баранова (Учебник) «Дрофа»

Добавленно , обновлено автор: alexxlab

Дмитрий Афанасьев — Игры в шахматы

Помощь   БД Главная   Дебюты    Игроки   Комментарии

DB: 2200+ VS 2200+ All Games2300+ VS 2300+ 2400+ VS 2400+ 2500+ VS 2500+ 2600+ VS 2600+ 2700+ VS 2700+

Dmitry Afanasiev

Born: 19911111112
Born: 1991111119
Born: 19911111112
Born: 19911111112
.
Результаты: Выигрыш: 47.8% (11) Проигрыш: 43.5% (10) Ничья: 8.7% (2) Всего:23 58.3% (7) Ничья: 0% (0) Всего:12
Черные Результаты: Выигрыш: 54,5% (6) Проигрыш: 27,3% (3) Ничья: 18,2% (2) Всего: 11
Активно: 2009-05-31 по 5 -25
Текущий рейтинг: 2175 на 2022-03-01
Макс. РУС
  • Комментарии
  • График рейтинга
  • Статистика открытия

1 (+1 -0 =0)
Полуславянская защита, Вариант Мерана, Вариант Уэйда 2 (+0 -2 =0)
Голландская защита, Вариант ферзевого коня1 90 )
Английское начало, Англо-индийская защита, Вариант ферзевого коня 1 (+0 -1 =0)
Английское начало, Королевский английский вариант, Контра Крамника-Широва 1 (+0 -1 =0)
Английское начало, Английская вариация короля, Перевернутая закрытая Сицилийская 1 (+0 -1 =0)
Французская защита, Вариант Стейница, Вариант Болеславского
Полуславянская защита, Вариант Мерана, Вариант Рейнольдса 1 (+1 -0 =0)
Сицилианская защита, Вариант Чеховера 1 (+0 -1 =0)
Славянская оборона, генерал 1 (+1 -0 = 0)
Открытие английского языка, англо -индийская защита, система ежа		 1 (+1 -0 = 0)

99
9 90071 90 -0 =0)2
9 , Наступательный вариант, Вариант Эйве 1 (+1 -0 =0)
Французская защита, Вариант Шлехтера 1 (+0 -1 =0)
Индийская игра, Общая 1 (+1 900 0 -0 =1)
Староиндийская защита, Обычный вариант, Вариант королевского коня 1 (+0 -1 =0)
Атака Нимцо-Ларсена, классический вариант 1 (+1 -0 =0)
Отказанный ферзевый гамбит, вариант Кембридж-Спрингс
Сицилианская защита, отложенный вариант Алапина 1 (+0 -0 =1)
Полуславянская защита, вариант Штольца 1 (+0 -1 =0)
Сицилийская защита, французский вариант 1 (+1 -0 =0)
Сицилианская защита, атака Макдоннелла 1 (+1 -0 =0)

Пожалуйста, введите детали проблемы

Слишком короткие — дополнительные ходы (например, 45. ..Nf3 46.Bxf3):
Слишком длинные — завершающий ход (например, 33…Nf3):
неправильные ходы — введите полную правильную игру в формате PGN:
Белый игрок — правильный Имя:
Черный игрок — Правильное имя:
Событие — Правильное событие:
Место — Правильное место:
Раунд — Правильный раунд:
Дата — Правильная дата (например, 2001.12.25):
Плохая игра — Неисправима, необходимо удалить:
Дубликат игры, необходимо удалить — Введите идентификатор игры правильной версии:
Неверный результат — Правильный результат:


Победы белых
Победы черных
Ничья

Классификация изменений:


Обычный
Блиц/Быстрый
Одновременный/Выставочный

Заочный


Другие комментарии:
  • Поиск
  • Игры на позицию

База данных Chess Tempo Chess содержит более двух миллионов шахматных партий с возможностью поиска. Поиск в базе данных можно осуществлять по многим критериям, включая шахматистов, шахматный дебют, рейтинги игроков, результат игры и год, когда была сыграна шахматная партия. Статистику открытия шахмат можно посмотреть на дисплее справа от доски. Для поиска в шахматной базе данных либо введите критерии в поле быстрого поиска, либо воспользуйтесь расширенным поиском, нажав на метку расширенного поиска. Чтобы увидеть шахматные партии в базе данных для текущей позиции, нажмите на вкладку «Игры для позиции». Вы можете начать с любой позиции, используя кнопку вставки FEN/ходов прямо под шахматной доской. По умолчанию в базе данных отображаются только шахматные партии, в которых оба игрока имеют рейтинг выше 2200. Вы можете изменить подмножество базы данных с помощью селектора базы данных в верхней части страницы.

Существует также список игр только в формате HTML без возможности поиска, но большинство пользователей захотят использовать главную страницу базы данных игр.


КУ Левен кто есть кто — Валерий Афанасьев

Фамилия: Имя:

Биографическая справка
  • Обо мне
  • Исследования
  • Преподавание

 

http://orcid. org/0000-0001-53918-4(2023) Влияние внешних факторов на выравнивание полос TMD с SiO2: WS2 по сравнению с WSe2 и MoS2 .

  • запуск Дели Г., Литвин П.М. М., Абад Г.К. К., Макдоннелл С.Дж. Дж., Чиаппе Д., Афанасьев В.В. В. с Дели Г. (соавт. корр.) (2022) . Изменчивость выравнивания полос между WS2 и SiO2: внутренние и внешние вклады.
    ЖУРНАЛ ВАКУУМНОЙ НАУКИ И ТЕХНОЛОГИИ A     , 40 (6), арт. АРТН 062201. doi: 10.1116/6.0001987
  • пуск Менг Р., Перейра Л.Д. К., Локе Ж.-П., Афанасьев В., Пуртуа Г., Хусса М. с Менг Р. (соавт.), Хусса М. (соответствующий автор) (2022). Наведенный дырочным легированием ферромагнетизм в двумерных материалах. NPJ ВЫЧИСЛИТЕЛЬНЫЕ МАТЕРИАЛЫ , 8 (1), арт. АРТН 230. doi: 10.1038/s41524-022-00916-2
  • запуск Муругесан Р. , Менг Р., де Волдер А., Кейджерс В., Янссенс Э., ван де Вондел Дж., Афанасьев В., Хусса М. с Муругасан Р. (соответствующий автор), Houssa, M. (соответствующий автор) (2022). Взаимодействие графена с кластерами Au(n): первопринципное исследование.
    ЖУРНАЛ ФИЗИКИ КОНДЕНСИРОВАННЫХ ВЕЩЕСТВ     , 34 (40), арт. АРТН 405701. doi: 10.1088/1361-648X/ac829e
  • запуск Меллаертс, С., Сео, Дж. В., Афанасьев, В., Хусса, М., Локе, Дж. П. (2022). Изосимметричные фазовые переходы первого рода. Представлено на выставке EMRS Fall 2022, Варшава.
  • запуск Измайлов Р.А., О’Салливан Б.Дж., Попович М.И., Афанасьев В.В. с Измаиловым Р.А. (соответствующий автор) (2022). Глубокие электронные ловушки в сегнетоэлектриках на основе HfO2: (легированный Al/Si) HfO2 по сравнению с HfZrO4.
    ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА , 194 , арт. АРТН 108388. doi: 10.1016/j.sse.2022.108388
  • запуск Менг Р., Перейра Л.Д. К., Локе Ж.П., Афанасьев В., Пуртуа Г., Хусса М. (2022). Ферромагнетизм, вызванный дырочным легированием в двумерных материалах . Исследовательская площадь. doi: 10.21203/rs.3.rs-1662930/v1
  • запуск Меллаертс, С., Сео, Дж. В., Афанасьев, В., Хусса, М., Локе, Дж. П. (2022). Происхождение супертетрагональности в BaTiO3. Материалы для физического обзора , 6 (6), арт. 064410. doi: 10.1103/PhysRevMaterials.6.064410
  • запуск Пас де Араужо, К.А., Селинска, Дж., МакВильямс, К.Р., Шифрен, Л., Йерик, Г., Генри Хуанг, X.
    М., Сурьяванши, С.В., Розендейл, Г., Афанасьев, В., Марино, EC, Narayan, DM, Dessau, DS с Yeric, G. (соответствующий автор) (2022). УНИВЕРСАЛЬНОЕ НЕПОЛЯРНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ В ДОПИРОВАННЫХ УГЛЕРОДОМ ОКСИДАХ ПЕРЕХОДНЫХ МЕТАЛЛОВ (ТМО) И ПОСТ-ТМО. Apl Материалы , 10 (04), арт. 040904. doi: 10.1063/5.0073513
  • запуск Ю. З., Сайни Б., Ляо П. Дж., Чанг Ю. К., Хоу Д. Х., Ниен Ч. Х., Ши Ю. К., Ён С. Х., Афанасьев В., Хуанг Ф., Банецки Дж.Д., Мехта А., Чанг К.С., Вонг Х.С.П., Цай В., Макинтайр П.К. с Макинтайром, П.К. (соответствующий автор) (2022). Легирование CeO2 тонких пленок Hf0,5Zr0,5O2 для высокопрочной сегнетоэлектрической памяти. ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS , 8 (7), арт. АРТН 2101258. doi: 10.1002/aelm.202101258

    • Все публикации Поиск публикации

    • G0A30A  Onderzoeksseminarie halfgeleiderfysica
    • H0G04A Advanced Solid-State Physics: Metastable and Amorphous Materials
    • G0P40A  Projectwerk natuurkunde
    • H9X48A  Design and Analysis of Experimentation
    • X0C94B  Statistical mechanics
    • G0R16A  Semiconductor Physics
    • G0R40A  Research Methods in Condensed Matter Physics

    http://orcid. org/0000-0001-5018-4539

    Recent publications

    • запуск Дели Г., Афанасьев В. (упр.) (2023). Влияние внешних факторов на выравнивание полос TMD с SiO2: WS2 по сравнению с WSe2 и MoS2 .
    • запуск Дели Г., Литвин П.М. М., Абад Г.К. К., Макдоннелл С.Дж. Дж., Чиаппе Д., Афанасьев В.В. В. с Дели Г. (соответствующий автор) (2022) . Изменчивость выравнивания полос между WS2 и SiO2: внутренние и внешние вклады. ЖУРНАЛ ВАКУУМНОЙ НАУКИ И ТЕХНОЛОГИИ A , 40 (6), арт. АРТН 062201. doi: 10.1116/6.0001987
    • запуск Мэн Р., Перейра Л.Д. К., Локе Ж.-П., Афанасьев В., Пуртуа Г., Хусса М. с Менг Р. (соавт.), Хусса М. (соответствующий автор) (2022). Наведенный дырочным легированием ферромагнетизм в двумерных материалах. NPJ ВЫЧИСЛИТЕЛЬНЫЕ МАТЕРИАЛЫ , 8 (1), арт. АРТН 230. doi: 10.1038/s41524-022-00916-2
    • запуск Муругесан Р., Менг Р., де Волдер А., Кейджерс В., Янссенс Э., ван де Вондел Дж., Афанасьев В., Хусса М. с Муругесан Р. (соответственно , автор), Хусса, М. (соответствующий автор) (2022). Взаимодействие графена с кластерами Au(n): первопринципное исследование. ЖУРНАЛ ФИЗИКИ-КОНДЕНСИРОВАННЫХ ВЕЩЕСТВ , 34 (40), Art.No. АРТН 405701. doi: 10.1088/1361-648X/ac829e
    • запуск Меллаертс, С., Сео, Дж. В., Афанасьев, В., Хусса, М., Локе, Дж. П. (2022). Изосимметричные фазовые переходы первого рода. Представлено на выставке EMRS Fall 2022, Варшава.
    • запуск Измайлов Р. А., О’Салливан Б.Дж., Попович М.И., Афанасьев В.В. с Измаиловым Р.А. (соответствующий автор) (2022). Глубокие электронные ловушки в сегнетоэлектриках на основе HfO2: (легированный Al/Si) HfO2 по сравнению с HfZrO4. ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА , 194 , арт. АРТН 108388. doi: 10.1016/j.sse.2022.108388
    • запуск Менг Р., Перейра Л.Д. К., Локе Ж.П., Афанасьев В., Пуртуа Г., Хусса М. (2022). Ферромагнетизм, вызванный дырочным легированием в двумерных материалах . Исследовательская площадь. doi: 10.21203/rs.3.rs-1662930/v1
    • запуск Меллаертс, С., Сео, Дж. В., Афанасьев, В., Хусса, М., Локе, Дж. П. (2022). Происхождение супертетрагональности в BaTiO3. Материалы для физического обзора , 6 (6), арт. 064410. doi: 10.1103/PhysRevMaterials.6.064410
    • запуск Пас де Араужо, К.А., Селинска, Дж., МакВильямс, К.Р., Шифрен, Л., Йерик, Г., Генри Хуанг, X.М., Сурьяванши, С.В., Розендейл, Г., Афанасьев, В., Марино, EC, Narayan, DM, Dessau, DS с Yeric, G. (соответствующий автор) (2022). УНИВЕРСАЛЬНОЕ НЕПОЛЯРНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ В ДОПИРОВАННЫХ УГЛЕРОДОМ ОКСИДАХ ПЕРЕХОДНЫХ МЕТАЛЛОВ (ТМО) И ПОСТ-ТМО. Apl Материалы , 10 (04), арт. 040904. doi: 10.1063/5.0073513
    • запуск Ю. З., Сайни Б., Ляо П. Дж., Чанг Ю. К., Хоу Д. Х., Ниен Ч. Х., Ши Ю. К., Ён С. Х., Афанасьев В., Хуанг Ф., Банецки Дж.Д., Мехта А., Чанг К.С., Вонг Х.С.П., Цай В., Макинтайр П.К. с Макинтайром, П.К. (соответствующий автор) (2022). Легирование CeO2 тонких пленок Hf0,5Zr0,5O2 для высокопрочной сегнетоэлектрической памяти.

      Оставить комментарий

      Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

      Вы можете использовать эти HTMLметки и атрибуты:

      <a href="" title=""> <abbr title=""> <acronym title=""> <b> <blockquote cite=""> <cite> <code> <del datetime=""> <em> <i> <q cite=""> <s> <strike> <strong>